SPP02N60S5HKSA1

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Numero parte SPP02N60S5HKSA1
LIXINC Part # SPP02N60S5HKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SPP02N60S5HKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SPP02N60S5HKSA1 Specifiche

Numero parte:SPP02N60S5HKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolMOS™
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5.5V @ 80µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:9.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:240 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):25W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO220-3-1
pacchetto/caso:TO-220-3

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