PMV65XP/MIR

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Numero parte PMV65XP/MIR
LIXINC Part # PMV65XP/MIR
Produttore Nexperia
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PMV65XP/MIR Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PMV65XP/MIR Specifiche

Numero parte:PMV65XP/MIR
Marca:Nexperia
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Nexperia
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:74mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:900mV @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:7.7 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:744 pF @ 20 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):480mW (Ta), 4.17W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-236AB
pacchetto/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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