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Numero parte | PMV65XP/MIR |
LIXINC Part # | PMV65XP/MIR |
Produttore | Nexperia |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | PMV65XP/MIR Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | PMV65XP/MIR |
Marca: | Nexperia |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Nexperia |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 2.8A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 1.8V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 74mOhm @ 2.8A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 900mV @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 7.7 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±12V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 744 pF @ 20 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 480mW (Ta), 4.17W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-236AB |
pacchetto/caso: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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FQPF5N60C_F105 | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F | 926 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10910 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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