FQPF5N60C_F105 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQPF5N60C_F105

FQPF5N60C_F105

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Numero parte	FQPF5N60C_F105
LIXINC Part #	FQPF5N60C_F105
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FQPF5N60C_F105 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FQPF5N60C_F105 Specifiche

Numero parte:	FQPF5N60C_F105
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	QFET®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	4.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.5Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	670 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	33W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220F
pacchetto/caso:	TO-220-3 Full Pack

SIS448DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8	960 Maggiori informazioni su Ordine
STE40NK90ZD	MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP	891 Maggiori informazioni su Ordine
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IRLU7833	MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK	828 Maggiori informazioni su Ordine
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NVMFS5C430NLWFT1G	MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN	814 Maggiori informazioni su Ordine
IPP100N06S2L05AKSA1	MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3	860 Maggiori informazioni su Ordine
IRF450	MOSFET N-CH 500V 12A TO204AA	934 Maggiori informazioni su Ordine
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