SUD50N10-18P-E3

SUD50N10-18P-E3
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Numero parte SUD50N10-18P-E3
LIXINC Part # SUD50N10-18P-E3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SUD50N10-18P-E3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
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SUD50N10-18P-E3 Specifiche

Numero parte:SUD50N10-18P-E3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.2A (Ta), 50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:18.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:75 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2600 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 136.4W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252, (D-Pak)
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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