FDD13AN06A0 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD13AN06A0

FDD13AN06A0

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Numero parte	FDD13AN06A0
LIXINC Part #	FDD13AN06A0
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDD13AN06A0 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDD13AN06A0 Specifiche

Numero parte:	FDD13AN06A0
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9.9A (Ta), 50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	13.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1350 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	115W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DPAK
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RD3P050SNTL1	MOSFET N-CH 100V 5A TO252	1848 Maggiori informazioni su Ordine
PSMN3R2-30YLC,115	ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF	2077 Maggiori informazioni su Ordine
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BSS84AKVL	MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB	819 Maggiori informazioni su Ordine
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PMV30ENEAR	MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB	6634 Maggiori informazioni su Ordine
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