RUM002N02T2L

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Numero parte RUM002N02T2L
LIXINC Part # RUM002N02T2L
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RUM002N02T2L Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
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RUM002N02T2L Specifiche

Numero parte:RUM002N02T2L
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:200mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.2V, 2.5V
rds su (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:25 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):150mW (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:VMT3
pacchetto/caso:SOT-723

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