PSMN3R2-30YLC,115

PSMN3R2-30YLC,115
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Numero parte PSMN3R2-30YLC,115
LIXINC Part # PSMN3R2-30YLC,115
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PSMN3R2-30YLC,115 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PSMN3R2-30YLC,115 Specifiche

Numero parte:PSMN3R2-30YLC,115
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:1.95V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:29.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.081 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):92W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:LFPAK56, Power-SO8
pacchetto/caso:SC-100, SOT-669

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