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Numero parte | TSM60NB900CH C5G |
LIXINC Part # | TSM60NB900CH C5G |
Produttore | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TSM60NB900CH C5G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jun 30 - Jul 04 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TSM60NB900CH C5G |
Marca: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 900mOhm @ 1.2A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 9.6 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 315 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 36.8W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-251 (IPAK) |
pacchetto/caso: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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In magazzino | 15067 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.25000 | $1.25 |
10 | $1.11239 | $11.1239 |
100 | $0.87890 | $87.89 |
500 | $0.68156 | $340.78 |
1875 | $0.53807 | $1008.88125 |
3750 | $0.50220 | $1883.25 |
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