FDBL0200N100

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Numero parte FDBL0200N100
LIXINC Part # FDBL0200N100
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDBL0200N100 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jun 30 - Jul 04 2024(Scegli spedizione rapida)
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FDBL0200N100 Specifiche

Numero parte:FDBL0200N100
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:300A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:133 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:9760 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):429W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-HPSOF
pacchetto/caso:8-PowerSFN

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