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Numero parte | PSMN2R0-60ES,127 |
LIXINC Part # | PSMN2R0-60ES,127 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | PSMN2R0-60ES,127 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | PSMN2R0-60ES,127 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 2.2mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 137 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 9.997 pF @ 30 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 338W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | I2PAK |
pacchetto/caso: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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In magazzino | 19718 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.29000 | $1.29 |
50 | $1.03700 | $51.85 |
100 | $0.94479 | $94.479 |
500 | $0.76505 | $382.525 |
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