IPB160N04S4H1ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB160N04S4H1ATMA1 | IPB160N04S4H1ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB160N04S4H1ATMA1

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Numero parte	IPB160N04S4H1ATMA1
LIXINC Part #	IPB160N04S4H1ATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB160N04S4H1ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB160N04S4H1ATMA1 Specifiche

Numero parte:	IPB160N04S4H1ATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	160A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 110µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	137 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	10920 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	167W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO263-7-3
pacchetto/caso:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IPB80N04S306ATMA1	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	859 Maggiori informazioni su Ordine
CSD25481F4T	MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR	863 Maggiori informazioni su Ordine
FDP036N10A	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3	123516964 Maggiori informazioni su Ordine
BSS306NH6327XTSA1	MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3	25955 Maggiori informazioni su Ordine
NTGS3443T1G	MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP	2147484526 Maggiori informazioni su Ordine
IPN70R360P7SATMA1	MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223	895 Maggiori informazioni su Ordine
IXTA170N075T2	MOSFET N-CH 75V 170A TO263	2931 Maggiori informazioni su Ordine
2N7002KT1G	MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3	993 Maggiori informazioni su Ordine
SQP60N06-15_GE3	MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB	954 Maggiori informazioni su Ordine
TK17A65W,S5X	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	1104 Maggiori informazioni su Ordine
APTM100UM45FAG	MOSFET N-CH 1000V 215A SP6	895 Maggiori informazioni su Ordine
PHB66NQ03LT,118	MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK	2645 Maggiori informazioni su Ordine
MMSF3P02HDR2G	MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC	3208 Maggiori informazioni su Ordine