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Numero parte | BSS306NH6327XTSA1 |
LIXINC Part # | BSS306NH6327XTSA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BSS306NH6327XTSA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | BSS306NH6327XTSA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | OptiMOS™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 2.3A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 57mOhm @ 2.3A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 11µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 1.5 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 275 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-23-3 |
pacchetto/caso: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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In magazzino | 26022 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.50000 | $0.5 |
3000 | $0.12726 | $381.78 |
6000 | $0.12081 | $724.86 |
15000 | $0.11114 | $1667.1 |
30000 | $0.10469 | $3140.7 |
75000 | $0.09501 | $7125.75 |
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