Solo per riferimento
Numero parte | MMSF3P02HDR2G |
LIXINC Part # | MMSF3P02HDR2G |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MMSF3P02HDR2G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | MMSF3P02HDR2G |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 5.6A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 75mOhm @ 3A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 46 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1400 pF @ 16 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-SOIC |
pacchetto/caso: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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In magazzino | 13080 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.52000 | $1.52 |
2500 | $0.63330 | $1583.25 |
5000 | $0.60164 | $3008.2 |
12500 | $0.57902 | $7237.75 |
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