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Numero parte | TPH1110ENH,L1Q |
LIXINC Part # | TPH1110ENH,L1Q |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TPH1110ENH,L1Q Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 01 - Jul 05 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | TPH1110ENH,L1Q |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | U-MOSVIII-H |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 200 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 7.2A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 114mOhm @ 3.6A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 200µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 7 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 600 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-SOP Advance (5x5) |
pacchetto/caso: | 8-PowerVDFN |
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In magazzino | 10830 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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