TPH1110ENH,L1Q

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Numero parte TPH1110ENH,L1Q
LIXINC Part # TPH1110ENH,L1Q
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPH1110ENH,L1Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TPH1110ENH,L1Q Specifiche

Numero parte:TPH1110ENH,L1Q
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVIII-H
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7.2A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:114mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 200µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SOP Advance (5x5)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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