IPA028N08N3GXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPA028N08N3GXKSA1 | IPA028N08N3GXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPA028N08N3GXKSA1

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Numero parte	IPA028N08N3GXKSA1
LIXINC Part #	IPA028N08N3GXKSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 89A TO220-FP
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPA028N08N3GXKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPA028N08N3GXKSA1 Specifiche

Numero parte:	IPA028N08N3GXKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Not For New Designs
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	89A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.8mOhm @ 89A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 270µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	206 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	14200 pF @ 40 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	42W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO220-FP
pacchetto/caso:	TO-220-3 Full Pack

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IRFI1010NPBF-IR	HEXFET POWER MOSFET	844 Maggiori informazioni su Ordine
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IRFU3607TRL701P	HEXFET POWER MOSFET	6176 Maggiori informazioni su Ordine
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