CSD18536KTT

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Numero parte CSD18536KTT
LIXINC Part # CSD18536KTT
Produttore Texas Instruments
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CSD18536KTT Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
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CSD18536KTT Specifiche

Numero parte:CSD18536KTT
Marca:Texas Instruments
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Texas Instruments
serie:NexFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:200A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:140 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:11430 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DDPAK/TO-263-3
pacchetto/caso:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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