IRFU3607TRL701P

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Numero parte IRFU3607TRL701P
LIXINC Part # IRFU3607TRL701P
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione HEXFET POWER MOSFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFU3607TRL701P Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFU3607TRL701P Specifiche

Numero parte:IRFU3607TRL701P
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):75 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:56A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:9mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:84 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3.07 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):140W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:IPAK (TO-251)
pacchetto/caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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