FDP8030L

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Numero parte FDP8030L
LIXINC Part # FDP8030L
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDP8030L Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FDP8030L Specifiche

Numero parte:FDP8030L
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:*
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:170 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:10.5 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):187W (Tc)
temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-3
pacchetto/caso:TO-220-3

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