SSM3K376R,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K376R,LF

SSM3K376R,LF

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Numero parte	SSM3K376R,LF
LIXINC Part #	SSM3K376R,LF
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SSM3K376R,LF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SSM3K376R,LF Specifiche

Numero parte:	SSM3K376R,LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVII-H
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	4A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	56mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	2.2 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	+12V, -8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	200 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2W (Ta)
temperatura di esercizio:	150°C
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-23F
pacchetto/caso:	SOT-23-3 Flat Leads

IRFH8316TRPBF-IR	IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET	5339 Maggiori informazioni su Ordine
SQM40010EL_GE3	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK	886 Maggiori informazioni su Ordine
AONR66406	MOSFET N-CH 40V 22A/30A 8DFN	990 Maggiori informazioni su Ordine
BSZ16DN25NS3GATMA1	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON	18595 Maggiori informazioni su Ordine
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SPD02N60C3	N-CHANNEL POWER MOSFET	995 Maggiori informazioni su Ordine
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