RM4N650T2 | Rectron USA RM4N650T2 | RM4N650T2 Inventory, Best Pricing

RM4N650T2

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Numero parte	RM4N650T2
LIXINC Part #	RM4N650T2
Produttore	Rectron USA
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	RM4N650T2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

RM4N650T2 Specifiche

Numero parte:	RM4N650T2
Marca:	Rectron USA
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rectron USA
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	280 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	46W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220-3
pacchetto/caso:	TO-220-3

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