IPI076N12N3GAKSA1

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Numero parte IPI076N12N3GAKSA1
LIXINC Part # IPI076N12N3GAKSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPI076N12N3GAKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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IPI076N12N3GAKSA1 Specifiche

Numero parte:IPI076N12N3GAKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):120 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:7.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 130µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:101 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:6640 pF @ 60 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):188W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO262-3
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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