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Numero parte | IPI076N12N3GAKSA1 |
LIXINC Part # | IPI076N12N3GAKSA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IPI076N12N3GAKSA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IPI076N12N3GAKSA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | OptiMOS™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 120 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 7.6mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 130µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 101 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 6640 pF @ 60 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 188W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TO262-3 |
pacchetto/caso: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
IXTA200N055T2 | MOSFET N-CH 55V 200A TO263 | 802 Maggiori informazioni su Ordine |
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SI1443EDH-T1-BE3 | MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6 | 3258 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10895 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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