RW1C015UNT2R

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Numero parte RW1C015UNT2R
LIXINC Part # RW1C015UNT2R
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RW1C015UNT2R Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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RW1C015UNT2R Specifiche

Numero parte:RW1C015UNT2R
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Not For New Designs
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:1.8 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:110 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):400mW (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:6-WEMT
pacchetto/caso:SOT-563, SOT-666

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