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Numero parte | TK10J80E,S1E |
LIXINC Part # | TK10J80E,S1E |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TK10J80E,S1E Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TK10J80E,S1E |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | π-MOSVIII |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 800 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 10A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 1Ohm @ 5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 46 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2000 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-3P(N) |
pacchetto/caso: | TO-3P-3, SC-65-3 |
R5021ANX | MOSFET N-CH 500V 21A TO220FM | 1319 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 10852 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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