FDP150N10A-F102

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Numero parte FDP150N10A-F102
LIXINC Part # FDP150N10A-F102
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDP150N10A-F102 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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FDP150N10A-F102 Specifiche

Numero parte:FDP150N10A-F102
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:PowerTrench®
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:15mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1440 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):91W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-3
pacchetto/caso:TO-220-3

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