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Numero parte | IXFN66N85X |
LIXINC Part # | IXFN66N85X |
Produttore | Wickmann / Littelfuse |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IXFN66N85X Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IXFN66N85X |
Marca: | Wickmann / Littelfuse |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Wickmann / Littelfuse |
serie: | HiPerFET™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 850 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 65A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 65mOhm @ 33A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5.5V @ 8mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 230 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 8900 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 830W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Chassis Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-227B |
pacchetto/caso: | SOT-227-4, miniBLOC |
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In magazzino | 10815 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $38.30000 | $38.3 |
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100 | $30.25700 | $3025.7 |
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