CSD17579Q3A

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Numero parte CSD17579Q3A
LIXINC Part # CSD17579Q3A
Produttore Texas Instruments
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CSD17579Q3A Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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CSD17579Q3A Specifiche

Numero parte:CSD17579Q3A
Marca:Texas Instruments
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Texas Instruments
serie:NexFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:10.2mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:1.9V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:998 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.2W (Ta), 29W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-VSONP (3x3.15)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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