Solo per riferimento
Numero parte | CSD17579Q3A |
LIXINC Part # | CSD17579Q3A |
Produttore | Texas Instruments |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CSD17579Q3A Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | CSD17579Q3A |
Marca: | Texas Instruments |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Texas Instruments |
serie: | NexFET™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 20A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 10.2mOhm @ 8A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.9V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 998 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3.2W (Ta), 29W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-VSONP (3x3.15) |
pacchetto/caso: | 8-PowerVDFN |
CPH3350-TL-W | MOSFET P-CH 20V 3A 3CPH | 12898 Maggiori informazioni su Ordine |
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STD7NM64N | MOSFET N-CH 640V 5A DPAK | 813 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 35840 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.70000 | $0.7 |
2500 | $0.24047 | $601.175 |
5000 | $0.22544 | $1127.2 |
12500 | $0.21793 | $2724.125 |
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