IPB180N06S4H1ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPB180N06S4H1ATMA2 | IPB180N06S4H1ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPB180N06S4H1ATMA2

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Numero parte	IPB180N06S4H1ATMA2
LIXINC Part #	IPB180N06S4H1ATMA2
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB180N06S4H1ATMA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB180N06S4H1ATMA2 Specifiche

Numero parte:	IPB180N06S4H1ATMA2
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	180A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 200µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	270 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	21900 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	250W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO263-7-3
pacchetto/caso:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

BUK9Y19-100E,115	MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56	952 Maggiori informazioni su Ordine
SI7119DN-T1-GE3	MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8	3937 Maggiori informazioni su Ordine
MCH6336-TL-E	MOSFET P-CH 12V 5A SC88FL/ MCPH6	3912 Maggiori informazioni su Ordine
IRF510	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB	934 Maggiori informazioni su Ordine
EPC2007C	GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE	35061 Maggiori informazioni su Ordine
IPB60R280C6ATMA1	MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK	1249 Maggiori informazioni su Ordine
STD7NM64N	MOSFET N-CH 640V 5A DPAK	933 Maggiori informazioni su Ordine
2SK3814-AZ	MOSFET N-CH 60V 60A TO251	7292 Maggiori informazioni su Ordine
BUK6240-75C,118	MOSFET N-CH 75V 22A DPAK	8397 Maggiori informazioni su Ordine
MPF4391RLRA	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	18605 Maggiori informazioni su Ordine
NVMFSW6D1N08HT1G	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN	33812 Maggiori informazioni su Ordine
NTMFS4851NT1G	MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN	82561 Maggiori informazioni su Ordine
BSC019N06NSATMA1	MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL	7133 Maggiori informazioni su Ordine