BUK9Y19-100E,115 | Nexperia BUK9Y19-100E,115 | BUK9Y19-100E,115 Inventory, Best Pricing

BUK9Y19-100E,115

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Numero parte	BUK9Y19-100E,115
LIXINC Part #	BUK9Y19-100E,115
Produttore	Nexperia
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BUK9Y19-100E,115 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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BUK9Y19-100E,115 Specifiche

Numero parte:	BUK9Y19-100E,115
Marca:	Nexperia
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Nexperia
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	56A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	5V
rds su (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.1V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	39 nC @ 5 V
vgs (massimo):	±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	5085 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	167W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	LFPAK56, Power-SO8
pacchetto/caso:	SC-100, SOT-669

SI7119DN-T1-GE3	MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8	3953 Maggiori informazioni su Ordine
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EPC2007C	GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE	35088 Maggiori informazioni su Ordine
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DIT095N08	MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB	1354 Maggiori informazioni su Ordine