BSM400C12P3G202 | ROHM Semiconductor BSM400C12P3G202 | BSM400C12P3G202 Inventory, Best Pricing

BSM400C12P3G202

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Numero parte	BSM400C12P3G202
LIXINC Part #	BSM400C12P3G202
Produttore	ROHM Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BSM400C12P3G202 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BSM400C12P3G202 Specifiche

Numero parte:	BSM400C12P3G202
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	ROHM Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tray
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
tensione drain-source (vdss):	1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	400A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (massimo) @ id:	5.6V @ 106.8mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	+22V, -4V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	17000 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1570W (Tc)
temperatura di esercizio:	175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Module
pacchetto/caso:	Module

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AUIRF1324STRL7P	MOSFET N-CH 24V 340A D2PAK	2219 Maggiori informazioni su Ordine
IPD60R400CEATMA1	600V COOLMOS N-CHANNEL	2106 Maggiori informazioni su Ordine
IRFS3806TRLPBF	MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK	4167 Maggiori informazioni su Ordine
C3M0350120D	SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3	953 Maggiori informazioni su Ordine
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MCH6444-TL-H	MOSFET N-CH 35V 2.5A 6MCPH	3884 Maggiori informazioni su Ordine
IRF9Z14LPBF	MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK	821 Maggiori informazioni su Ordine
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UPA650TT-E1-A	MOSFET P-CH 12V 5A 6WSOF	6415 Maggiori informazioni su Ordine