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Numero parte | UPA650TT-E1-A |
LIXINC Part # | UPA650TT-E1-A |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 5A 6WSOF |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | UPA650TT-E1-A Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | UPA650TT-E1-A |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 12 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 5A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | - |
rds su (max) @ id, vgs: | 50mOhm @ 2.5A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.5V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 5.5 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | - |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 610 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 200mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 6-WSOF |
pacchetto/caso: | 6-SMD, Flat Leads |
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In magazzino | 16395 - Maggiori informazioni su Ordine |
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