RF4E060AJTCR

RF4E060AJTCR
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Numero parte RF4E060AJTCR
LIXINC Part # RF4E060AJTCR
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RF4E060AJTCR Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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RF4E060AJTCR Specifiche

Numero parte:RF4E060AJTCR
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:37mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:4 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:450 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2W (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:HUML2020L8
pacchetto/caso:8-PowerUDFN

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