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Numero parte | RF4E060AJTCR |
LIXINC Part # | RF4E060AJTCR |
Produttore | ROHM Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | RF4E060AJTCR Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | RF4E060AJTCR |
Marca: | ROHM Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | ROHM Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 6A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 2.5V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 37mOhm @ 6A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.5V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 4 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±12V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 450 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | HUML2020L8 |
pacchetto/caso: | 8-PowerUDFN |
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2SK669 | N-CHANNEL MOSFET | 12109 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 13915 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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