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Numero parte | TPH3206LDGB |
LIXINC Part # | TPH3206LDGB |
Produttore | Transphorm |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | GANFET N-CH 650V 16A PQFN |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TPH3206LDGB Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TPH3206LDGB |
Marca: | Transphorm |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Transphorm |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
tensione drain-source (vdss): | 650 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 16A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 180mOhm @ 11A, 8V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.6V @ 500µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 9.3 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±18V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 760 pF @ 480 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 81W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PQFN (8x8) |
pacchetto/caso: | 3-PowerDFN |
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In magazzino | 10865 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $10.28000 | $10.28 |
10 | $9.25200 | $92.52 |
60 | $8.42960 | $505.776 |
120 | $7.60720 | $912.864 |
300 | $6.99040 | $2097.12 |
540 | $6.37360 | $3441.744 |
1020 | $5.75680 | $5871.936 |
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