HUF76629D3ST

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Numero parte HUF76629D3ST
LIXINC Part # HUF76629D3ST
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HUF76629D3ST Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
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HUF76629D3ST Specifiche

Numero parte:HUF76629D3ST
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:UltraFET™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.285 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252AA
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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