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Numero parte | NTD4860NT4G |
LIXINC Part # | NTD4860NT4G |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NTD4860NT4G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NTD4860NT4G |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 25 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 10.4A (Ta), 65A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 7.5mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 16.5 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1308 pF @ 12 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1.28W (Ta), 50W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | DPAK |
pacchetto/caso: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ISL9N304AP3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15693 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 12347 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.94000 | $0.94 |
2500 | $0.43855 | $1096.375 |
5000 | $0.41783 | $2089.15 |
12500 | $0.40303 | $5037.875 |
25000 | $0.40088 | $10022 |
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