IRF6714MTRPBF

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Numero parte IRF6714MTRPBF
LIXINC Part # IRF6714MTRPBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF6714MTRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IRF6714MTRPBF Specifiche

Numero parte:IRF6714MTRPBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:29A (Ta), 166A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:2.1mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.4V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:44 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3.89 pF @ 13 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DIRECTFET™ MX
pacchetto/caso:DirectFET™ Isometric MX

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