IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV
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Numero parte IXTT1N300P3HV
LIXINC Part # IXTT1N300P3HV
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 3000V 1A TO268
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTT1N300P3HV Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
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IXTT1N300P3HV Specifiche

Numero parte:IXTT1N300P3HV
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):3000 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:50Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:30.6 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:895 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):195W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-268
pacchetto/caso:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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