RS1E200BNTB

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Numero parte RS1E200BNTB
LIXINC Part # RS1E200BNTB
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RS1E200BNTB Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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RS1E200BNTB Specifiche

Numero parte:RS1E200BNTB
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:3.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:59 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3100 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-HSOP
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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