SISHA14DN-T1-GE3

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Numero parte SISHA14DN-T1-GE3
LIXINC Part # SISHA14DN-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SISHA14DN-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
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SISHA14DN-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SISHA14DN-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET® Gen IV
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:19.7A (Ta), 20A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:5.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
vgs (massimo):+20V, -16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1450 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® 1212-8SH
pacchetto/caso:PowerPAK® 1212-8SH

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