BSZ065N03LSATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ065N03LSATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ065N03LSATMA1

Ingrandire

Solo per riferimento

Numero parte	BSZ065N03LSATMA1
LIXINC Part #	BSZ065N03LSATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BSZ065N03LSATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BSZ065N03LSATMA1 Specifiche

Numero parte:	BSZ065N03LSATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	12A (Ta), 40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	6.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	670 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.1W (Ta), 26W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TSDSON-8-FL
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

AOB190A60CL	MOSFET N-CH 600V 20A TO263	829 Maggiori informazioni su Ordine
R6020FNX	MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM	1366 Maggiori informazioni su Ordine
SIHG20N50E-GE3	MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC	877 Maggiori informazioni su Ordine
TPH8R008NH,L1Q	MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP	5856 Maggiori informazioni su Ordine
IXFA110N15T2	MOSFET N-CH 150V 110A TO263	91713 Maggiori informazioni su Ordine
TK62J60W,S1VQ	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P	1035 Maggiori informazioni su Ordine
IRFIB41N15DPBF	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	2285 Maggiori informazioni su Ordine
BSH111BKR	MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB	2584 Maggiori informazioni su Ordine
AUIRF7416QTR	PFET, 10A I(D), 30V, 0.02OHM, 1O	4845 Maggiori informazioni su Ordine
BSZ075N08NS5ATMA1	MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON	827 Maggiori informazioni su Ordine
DMN24H3D5L-13	MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23	965 Maggiori informazioni su Ordine
SI2312BDS-T1-E3	MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3	14500 Maggiori informazioni su Ordine
IPB020N04NGATMA1	MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7-3	32523 Maggiori informazioni su Ordine