SI2312BDS-T1-E3

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Numero parte SI2312BDS-T1-E3
LIXINC Part # SI2312BDS-T1-E3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI2312BDS-T1-E3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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SI2312BDS-T1-E3 Specifiche

Numero parte:SI2312BDS-T1-E3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.9A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:31mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:850mV @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):750mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
pacchetto/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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