IRFIB41N15DPBF

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Numero parte IRFIB41N15DPBF
LIXINC Part # IRFIB41N15DPBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFIB41N15DPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFIB41N15DPBF Specifiche

Numero parte:IRFIB41N15DPBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):150 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:41A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:45mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.52 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):48W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB Full-Pak
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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