IPB80N06S207ATMA4 | Rochester Electronics IPB80N06S207ATMA4 | IPB80N06S207ATMA4 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S207ATMA4

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Numero parte	IPB80N06S207ATMA4
LIXINC Part #	IPB80N06S207ATMA4
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB80N06S207ATMA4 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB80N06S207ATMA4 Specifiche

Numero parte:	IPB80N06S207ATMA4
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	6.3mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 180µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3.4 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	250W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO263-3-2
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AUIRLR2905	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK	32459 Maggiori informazioni su Ordine
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IPI126N10N3G	N-CHANNEL POWER MOSFET	977 Maggiori informazioni su Ordine
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ISL9N303AS3ST	MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK	9253 Maggiori informazioni su Ordine
STW20N65M5	MOSFET N-CH 650V 18A TO247	1187 Maggiori informazioni su Ordine