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Numero parte | TK20A60U(Q,M) |
LIXINC Part # | TK20A60U(Q,M) |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TK20A60U(Q,M) Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | TK20A60U(Q,M) |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | DTMOSII |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Last Time Buy |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 20A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 190mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 27 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1470 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220SIS |
pacchetto/caso: | TO-220-3 Full Pack |
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In magazzino | 10864 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $6.02000 | $6.02 |
50 | $4.83913 | $241.9565 |
100 | $4.40908 | $440.908 |
500 | $3.57023 | $1785.115 |
1000 | $3.01104 | $3011.04 |
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