RCD075N19TL

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Numero parte RCD075N19TL
LIXINC Part # RCD075N19TL
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RCD075N19TL Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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RCD075N19TL Specifiche

Numero parte:RCD075N19TL
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Not For New Designs
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):190 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:336mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1100 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):850mW (Ta), 20W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:CPT3
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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