Solo per riferimento
Numero parte | AOT410L |
LIXINC Part # | AOT410L |
Produttore | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | AOT410L Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 15 - Jul 19 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | AOT410L |
Marca: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
serie: | SDMOS™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 100 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 12A (Ta), 150A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 7V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 6.5mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 129 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±25V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 7950 pF @ 50 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1.9W (Ta), 333W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220 |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
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In magazzino | 18257 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.92000 | $2.92 |
10 | $2.63176 | $26.3176 |
100 | $2.11480 | $211.48 |
500 | $1.64485 | $822.425 |
1000 | $1.36287 | $1362.87 |
3000 | $1.31588 | $3947.64 |
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