IXTY1R4N120PHV

IXTY1R4N120PHV
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Numero parte IXTY1R4N120PHV
LIXINC Part # IXTY1R4N120PHV
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTY1R4N120PHV Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IXTY1R4N120PHV Specifiche

Numero parte:IXTY1R4N120PHV
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:Polar™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:13Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:24.8 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:666 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):86W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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