SQM120N10-09_GE3

SQM120N10-09_GE3
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Numero parte SQM120N10-09_GE3
LIXINC Part # SQM120N10-09_GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SQM120N10-09_GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 15 - Jul 19 2024(Scegli spedizione rapida)
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SQM120N10-09_GE3 Specifiche

Numero parte:SQM120N10-09_GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:9.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:180 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:8645 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263 (D²Pak)
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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