IAUS165N08S5N029ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IAUS165N08S5N029ATMA1 | IAUS165N08S5N029ATMA1 Inventory, Best Pricing

IAUS165N08S5N029ATMA1

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Numero parte	IAUS165N08S5N029ATMA1
LIXINC Part #	IAUS165N08S5N029ATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IAUS165N08S5N029ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IAUS165N08S5N029ATMA1 Specifiche

Numero parte:	IAUS165N08S5N029ATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	165A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.8V @ 108µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	90 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	6370 pF @ 40 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	167W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-HSOG-8-1
pacchetto/caso:	8-PowerSMD, Gull Wing

SQM120N10-09_GE3	MOSFET N-CH 100V 120A TO263	881 Maggiori informazioni su Ordine
IPI80N06S2L11AKSA2	MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3	41372 Maggiori informazioni su Ordine
IPD096N08N3GATMA1	MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3	873 Maggiori informazioni su Ordine
STP5N105K5	MOSFET N-CH 1050V 3A TO220	1848 Maggiori informazioni su Ordine
IXTA2N100P-TRL	MOSFET N-CH 1000V 2A TO263	911 Maggiori informazioni su Ordine
SIHB22N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK	7651 Maggiori informazioni su Ordine
FQB7P20TM-F085	MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK	1381 Maggiori informazioni su Ordine
R6004ENDTL	MOSFET N-CH 600V 4A CPT3	3411 Maggiori informazioni su Ordine
IXFH230N075T2	MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD	1817 Maggiori informazioni su Ordine
FQPF18N20V2	MOSFET N-CH 200V 18A TO220F	2082 Maggiori informazioni su Ordine
IPW60R250CPFKSA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	852 Maggiori informazioni su Ordine
BUK7Y6R0-60EX	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	882 Maggiori informazioni su Ordine
IPD70N04S307ATMA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	10685 Maggiori informazioni su Ordine