PMZB670UPE,315

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Numero parte PMZB670UPE,315
LIXINC Part # PMZB670UPE,315
Produttore Nexperia
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PMZB670UPE,315 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PMZB670UPE,315 Specifiche

Numero parte:PMZB670UPE,315
Marca:Nexperia
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Nexperia
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:680mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:850mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:1.14 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:87 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):360mW (Ta), 2.7W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DFN1006B-3
pacchetto/caso:3-XFDFN

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